| 次大氣壓下輝光放電的視覺特征呈現均勻的霧狀放電，放電的電流電學特征為單脈沖，放電溫度為室溫。次大氣壓輝光放電可以處理各種高分子材料、生物材料、金屬材料、紡織品材料、異型材料。設備成本低、處理的時間短、可加入各種氣氛，氣氛含量高、功率密度大、處理效率高?？蓱糜诒砻婢酆?、表面接枝、金屬滲氮、冶金、表面催化、化學合成及各種粉、粒、片材料的表面改性和的表面處理。電子和離子的能量可達10eV以上。材料批處理的效率要高于低氣壓輝光放電10倍以上。 主要應用于表面清洗、改善復合材料粘附性、細胞培養皿,組織培養皿的親水、心臟冠狀動脈支架、生物傳感器的表面處理。 | |
| HPD-2400生產型設備 次大氣輝光放電處理機 規格:
次大氣輝光放電效果圖 用途： 1. 酶標板、細菌計數培養皿、細胞培養皿、組織培養皿的親水處理。經過等離子體處理后細菌培養皿表面由疏水變為親水,并獲得支持細胞黏附鋪展的能力.并適用于細胞培養。等離子表面處理的效果可以簡單地用滴水來驗證，處理過的樣品表面完全被水潤濕。 |
| HPD-280實驗型設備 次大氣輝光放電處理機
次大氣輝光放電效果圖 規格: |
| HPD-100C實驗型設備 1. 型號：HPD-100C 2. 電源：單相AC220V（±10%） 3. 功率：500VA； 4. 腔極尺寸：100mm×200mm； 5. 設備尺寸：620(W)×750(H)×450(D)mm 6. 設備重量：100kg 7. 腔體壓力：20~200Pa |
